Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

IPD60N10S412ATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPD60N10S412ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.51713 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 12.2mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 46µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 34 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2470 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 94W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3-313
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FCMT099N65S3
FCMT099N65S3
$0 $/кусок
IRFP4568PBF
IRFP4568PBF
$0 $/кусок
STH275N8F7-6AG
STH275N8F7-6AG
$0 $/кусок
IPAN70R600P7SXKSA1
SI3429EDV-T1-GE3
SI3429EDV-T1-GE3
$0 $/кусок
STL8N80K5
STL8N80K5
$0 $/кусок
SIHG120N60E-GE3
SIHG120N60E-GE3
$0 $/кусок
DMP2021UTS-13
DMP2021UTS-13
$0 $/кусок
SIHU5N50D-E3
SIHU5N50D-E3
$0 $/кусок
NTD5C688NLT4G
NTD5C688NLT4G
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.