Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQJ457EP-T2_GE3

SQJ457EP-T2_GE3

SQJ457EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ457EP-T2_GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SQJ457EP-T2_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 36A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 100 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3400 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 68W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXFT44N50P
IXFT44N50P
$0 $/кусок
CSD18511KTTT
CSD18511KTTT
$0 $/кусок
SSM6J808R,LXHF
SI2324A-TP
SI2324A-TP
$0 $/кусок
IRFF223
IRFF223
$0 $/кусок
R6507KND3TL1
R6507KND3TL1
$0 $/кусок
FCP260N60E
FCP260N60E
$0 $/кусок
SIHG44N65EF-GE3
SIHG44N65EF-GE3
$0 $/кусок
IXTH3N120
IXTH3N120
$0 $/кусок
PJA3409-AU_R1_000A1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.