Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Obsolete |
| тип fet | P-Channel |
| технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 20 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 3A (Ta) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 1.8V, 4.5V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 120mOhm @ 3A, 4.5V |
| vgs(th) (макс) @ id | 1.3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| вгс (макс) | ±8V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 435 pF @ 10 V |
| особенность fet | Schottky Diode (Isolated) |
| рассеиваемая мощность (макс.) | 1.4W (Ta) |
| рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления | Surface Mount |
| пакет устройства поставщика | MicroFET 2x2 Thin |
| упаковка / кейс | 6-UDFN Exposed Pad |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.