Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Obsolete |
| тип fet | P-Channel |
| технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 20 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 3.3A (Ta) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 4.5V, 10V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 125mOhm @ 3.3A, 10V |
| vgs(th) (макс) @ id | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 3 nC @ 5 V |
| вгс (макс) | ±20V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 182 pF @ 10 V |
| особенность fet | Schottky Diode (Isolated) |
| рассеиваемая мощность (макс.) | 900mW (Ta) |
| рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления | Surface Mount |
| пакет устройства поставщика | 8-SOIC |
| упаковка / кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.