Welcome to ichome.com!

logo
Дом

DMN6069SFVW-13

DMN6069SFVW-13

DMN6069SFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

DMN6069SFVW-13 Техническая спецификация

несоответствующий

DMN6069SFVW-13 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.20733 $0.20733
500 $0.2052567 $102.62835
1000 $0.2031834 $203.1834
1500 $0.2011101 $301.66515
2000 $0.1990368 $398.0736
2500 $0.1969635 $492.40875
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 4A (Ta), 14A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 69mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 14 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 740 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount, Wettable Flank
пакет устройства поставщика PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PJW1NA60B_R2_00001
2SK2111-T1-AZ
NP45N06PUK-E1-AY
SQ3418AEEV-T1_GE3
SQ3418AEEV-T1_GE3
$0 $/кусок
BUK9Y1R3-40HX
BUK9Y1R3-40HX
$0 $/кусок
SI3099-TP
SI3099-TP
$0 $/кусок
NVMFS5831NLWFT1G
NVMFS5831NLWFT1G
$0 $/кусок
APTM20DAM08TG
APTM20DAM08TG
$0 $/кусок
MCTL300N10Y-TP
MCTL300N10Y-TP
$0 $/кусок
SI3401-TP
SI3401-TP
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.