Welcome to ichome.com!

logo
Дом

DMP21D0UFB4-7R

DMP21D0UFB4-7R

DMP21D0UFB4-7R

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

DMP21D0UFB4-7R Техническая спецификация

compliant

DMP21D0UFB4-7R Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.09108 $0.09108
500 $0.0901692 $45.0846
1000 $0.0892584 $89.2584
1500 $0.0883476 $132.5214
2000 $0.0874368 $174.8736
2500 $0.086526 $216.315
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 770mA (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.8V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 495mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 1.5 nC @ 8 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 76.5 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 430mW (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика X2-DFN1006-3
упаковка / кейс 3-XFDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPB70P04P409ATMA2
SIA465EDJ-T1-GE3
SIA465EDJ-T1-GE3
$0 $/кусок
RJK0393DPA-0G#J7A
APTM120UM70FAG
APTM120UM70FAG
$0 $/кусок
IPB65R041CFD7ATMA1
DMTH10H003SPSW-13
SIHB186N60EF-GE3
SIHB186N60EF-GE3
$0 $/кусок
NVTFWS007N08HLTAG
NVTFWS007N08HLTAG
$0 $/кусок
DMN67D8LV-7
DMN67D8LV-7
$0 $/кусок
RJK6002DPH-E0#T2
RJK6002DPH-E0#T2
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.