Welcome to ichome.com!

logo
Дом

DMT5012LFVW-13

DMT5012LFVW-13

DMT5012LFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

DMT5012LFVW-13 Техническая спецификация

compliant

DMT5012LFVW-13 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.22063 $0.22063
500 $0.2184237 $109.21185
1000 $0.2162174 $216.2174
1500 $0.2140111 $321.01665
2000 $0.2118048 $423.6096
2500 $0.2095985 $523.99625
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 50 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 11.7A (Ta), 51.4A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 17.6 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 738 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.7W (Ta), 51.4W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount, Wettable Flank
пакет устройства поставщика PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF
$0 $/кусок
DMT10H032SFVW-7
DMT10H032SFVW-7
$0 $/кусок
DMT10H032LFDF-7
DMT10H032LFDF-7
$0 $/кусок
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/кусок
RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR
$0 $/кусок
RJK6012DPP-E0#T2
RJK6012DPP-E0#T2
$0 $/кусок
IPL65R200CFD7AUMA1
TPH5R60APL,L1Q
IXKT70N60C5-TRL
IXKT70N60C5-TRL
$0 $/кусок
2SK4098FS
2SK4098FS
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.