Welcome to ichome.com!

logo
Дом

DMT64M1LCG-7

DMT64M1LCG-7

DMT64M1LCG-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

DMT64M1LCG-7 Техническая спецификация

несоответствующий

DMT64M1LCG-7 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.50358 $0.50358
500 $0.4985442 $249.2721
1000 $0.4935084 $493.5084
1500 $0.4884726 $732.7089
2000 $0.4834368 $966.8736
2500 $0.478401 $1196.0025
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 65 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 5.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 51.4 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2626 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.2W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика V-DFN3333-8 (Type B)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

2SJ494-AZ
2SJ494-AZ
$0 $/кусок
ISZ0702NLSATMA1
IPB024N08NF2SATMA1
2SJ358-T1-AZ
2SJ358-T1-AZ
$0 $/кусок
RFD14N06
RFD14N06
$0 $/кусок
DMTH6012LPSWQ-13
2SJ143(04)-S6-AZ
NVMYS006N08LHTWG
NVMYS006N08LHTWG
$0 $/кусок
RJK1002DPP-A0#T2
FDC699P
FDC699P
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.