Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | N-Channel |
| технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 200 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 3A (Ta) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 5V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 43mOhm @ 1A, 5V |
| vgs(th) (макс) @ id | 2.5V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| вгс (макс) | +6V, -4V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 573 pF @ 100 V |
| особенность fet | - |
| рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления | Surface Mount |
| пакет устройства поставщика | Die |
| упаковка / кейс | Die |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.