Welcome to ichome.com!
Имя | Ценить |
---|---|
статус продукта | Active |
тип fet | N-Channel |
технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
Напряжение сток-исток (vdss) | 80 V |
ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 10A (Ta) |
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 5V |
rds на (макс) @ id, vgs | 20mOhm @ 6A, 5V |
vgs(th) (макс) @ id | 2.5V @ 2mA |
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 2.2 nC @ 5 V |
вгс (макс) | +6V, -4V |
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 238 pF @ 40 V |
особенность fet | - |
рассеиваемая мощность (макс.) | - |
рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления | Surface Mount |
пакет устройства поставщика | Die |
упаковка / кейс | Die |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.