Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | N-Channel |
| технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 65 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 500mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 5V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 3.3Ohm @ 59mA, 5V |
| vgs(th) (макс) @ id | 2.5V @ 100µA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 0.064 nC @ 5 V |
| вгс (макс) | - |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 10 pF @ 32.5 V |
| особенность fet | - |
| рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления | Surface Mount |
| пакет устройства поставщика | Die |
| упаковка / кейс | Die |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.