Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| особенность fet | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 475A |
| rds на (макс) @ id, vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| vgs(th) (макс) @ id | 4.5V @ 160mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 1248nC @ 18V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 29.3nF @ 600V |
| мощность - макс. | 1250W |
| рабочая температура | -55°C ~ 150°C (Tc) |
| тип крепления | Chassis Mount |
| упаковка / кейс | Module |
| пакет устройства поставщика | - |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.