Welcome to ichome.com!
Имя | Ценить |
---|---|
статус продукта | Active |
тип fet | N-Channel |
технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Напряжение сток-исток (vdss) | 1700 V |
ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 22A (Tc) |
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 15V |
rds на (макс) @ id, vgs | 208mOhm @ 12A, 15V |
vgs(th) (макс) @ id | 2.7V @ 5mA |
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 51 nC @ 15 V |
вгс (макс) | ±15V |
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 1272 pF @ 1000 V |
особенность fet | - |
рассеиваемая мощность (макс.) | 187W (Tc) |
рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления | Surface Mount |
пакет устройства поставщика | TO-263-7 |
упаковка / кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.