Welcome to ichome.com!

logo
Дом

GC20N65Q

GC20N65Q

GC20N65Q

Goford Semiconductor

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

GC20N65Q Техническая спецификация

compliant

GC20N65Q Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $3.85000 $3.85
500 $3.8115 $1905.75
1000 $3.773 $3773
1500 $3.7345 $5601.75
2000 $3.696 $7392
2500 $3.6575 $9143.75
50 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 20A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 39 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1724 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 151W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-247
упаковка / кейс TO-247-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4
$0 $/кусок
SQM120N06-06_GE3
SQM120N06-06_GE3
$0 $/кусок
STU7LN80K5
STU7LN80K5
$0 $/кусок
STD10NM60N
STD10NM60N
$0 $/кусок
AOW11N60
APT8056BVRG
APT8056BVRG
$0 $/кусок
IPI60R299CP
IPI60R299CP
$0 $/кусок
SQJ858AEP-T1_GE3
SQJ858AEP-T1_GE3
$0 $/кусок
P3M06040K3
DMN2058UW-13
DMN2058UW-13
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.