Welcome to ichome.com!

logo
Дом

BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON

BSC010N04LSIATMA1 Техническая спецификация

compliant

BSC010N04LSIATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
5,000 $1.65984 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 40 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 37A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.05mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 87 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 6200 pF @ 20 V
особенность fet Schottky Diode (Body)
рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TDSON-8 FL
упаковка / кейс 8-PowerTDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SIR464DP-T1-GE3
SIR464DP-T1-GE3
$0 $/кусок
MCT04P06-TP
MCT04P06-TP
$0 $/кусок
BUK9Y14-80E,115
BUK9Y14-80E,115
$0 $/кусок
SIR414DP-T1-GE3
SIR414DP-T1-GE3
$0 $/кусок
G12P04K
G12P04K
$0 $/кусок
PJP60R390E_T0_00001
BUK7M22-80EX
BUK7M22-80EX
$0 $/кусок
2SK2552B-T1-AT
TSM60N600CI C0G
SI4447DY-T1-GE3
SI4447DY-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.