Welcome to ichome.com!
Имя | Ценить |
---|---|
статус продукта | Obsolete |
тип fet | 4 N-Channel (Half Bridge) |
особенность fet | Silicon Carbide (SiC) |
Напряжение сток-исток (vdss) | 1200V (1.2kV) |
ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 45A (Tj) |
rds на (макс) @ id, vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
vgs(th) (макс) @ id | 5.55V @ 20mA |
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 124nC @ 15V |
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 3.68nF @ 800V |
мощность - макс. | - |
рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления | Chassis Mount |
упаковка / кейс | Module |
пакет устройства поставщика | AG-EASY1B-2 |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.