Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

SOT-23

IPB017N10N5ATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPB017N10N5ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $3.68553 -
2,000 $3.50125 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 180A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.8V @ 279µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 210 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 15600 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 375W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-7
упаковка / кейс TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

VN1206L-G
VN1206L-G
$0 $/кусок
PMPB47XP,115
PMPB47XP,115
$0 $/кусок
IPD25DP06NMATMA1
IXFN60N80P
IXFN60N80P
$0 $/кусок
SQSA80ENW-T1_GE3
SQSA80ENW-T1_GE3
$0 $/кусок
NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/кусок
IXTH340N04T4
IXTH340N04T4
$0 $/кусок
IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
$0 $/кусок
SIDR402DP-T1-RE3
SIDR402DP-T1-RE3
$0 $/кусок
IRF300P227
IRF300P227
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.