Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

IPB036N12N3GATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPB036N12N3GATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $3.82105 -
2,000 $3.63000 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 120 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 180A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 270µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 211 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 13800 pF @ 60 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-7
упаковка / кейс TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

AOB282L
IPB240N04S4R9ATMA1
BUK9C10-55BIT/A,11
BUK9C10-55BIT/A,11
$0 $/кусок
IPA90R800C3XKSA2
RF4E070BNTR
RF4E070BNTR
$0 $/кусок
IRF730STRRPBF
IRF730STRRPBF
$0 $/кусок
IRF3709PBF
IRF3709PBF
$0 $/кусок
AUIRFS3207ZTRL
2N6792TX
2N6792TX
$0 $/кусок
SIHP33N60E-GE3
SIHP33N60E-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.