Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

IPB039N10N3GE8187ATMA1 Техническая спецификация

compliant

IPB039N10N3GE8187ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $1.67367 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 160A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 160µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 117 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 8410 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 214W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-7
упаковка / кейс TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SIR172ADP-T1-GE3
SIR172ADP-T1-GE3
$0 $/кусок
IPD90P03P4L04ATMA1
PJA3412-AU_R1_000A1
STL33N60M2
STL33N60M2
$0 $/кусок
APT40M70LVRG
APT40M70LVRG
$0 $/кусок
STN2NF10
STN2NF10
$0 $/кусок
NTD4808NT4G
NTD4808NT4G
$0 $/кусок
FDB3502
FDB3502
$0 $/кусок
SI7149ADP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3
$0 $/кусок
IRFBC30PBF
IRFBC30PBF
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.