Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

IPB065N15N3GATMA1 Техническая спецификация

compliant

IPB065N15N3GATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $3.71889 -
2,000 $3.58115 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 150 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 130A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 8V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 6.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 270µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 93 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 7300 pF @ 75 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-7
упаковка / кейс TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI3483DDV-T1-GE3
SI3483DDV-T1-GE3
$0 $/кусок
DMN2053U-7
DMN2053U-7
$0 $/кусок
SIA108DJ-T1-GE3
SIA108DJ-T1-GE3
$0 $/кусок
IXFH18N65X2
IXFH18N65X2
$0 $/кусок
ECH8410-TL-H
ECH8410-TL-H
$0 $/кусок
PSMN015-60BS,118
PSMN015-60BS,118
$0 $/кусок
IXTN17N120L
IXTN17N120L
$0 $/кусок
SISA16DN-T1-GE3
SISA16DN-T1-GE3
$0 $/кусок
IPI50R199CPXKSA1
IRF7495TRPBF
IRF7495TRPBF
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.