Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

IPB180N06S4H1ATMA2 Техническая спецификация

compliant

IPB180N06S4H1ATMA2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $2.18665 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 180A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 270 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 21900 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-7
упаковка / кейс TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PJQ5446-AU_R2_000A1
NTD600N80S3Z
NTD600N80S3Z
$0 $/кусок
R6504END3TL1
R6504END3TL1
$0 $/кусок
IPB042N10N3GE8187ATMA1
TK39N60X,S1F
AOU3N60
STP3NK60ZFP
STP3NK60ZFP
$0 $/кусок
FDS86267P
FDS86267P
$0 $/кусок
NVJS4151PT1G
NVJS4151PT1G
$0 $/кусок
PJQ5445-AU_R2_000A1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.