Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

IPB60R060C7ATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPB60R060C7ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $4.43777 -
2,000 $4.27341 -
1 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 35A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 60mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 800µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 68 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2850 pF @ 400 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 162W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика D2PAK (TO-263)
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

P3M06060G7
IRFP4468PBF
IRFP4468PBF
$0 $/кусок
IXTA3N120-TRR
IXTA3N120-TRR
$0 $/кусок
STP36N55M5
STP36N55M5
$0 $/кусок
SPI20N65C3XKSA1
AOTF296L
STF7N52DK3
STF7N52DK3
$0 $/кусок
IXTJ6N150
IXTJ6N150
$0 $/кусок
AOW11S65
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.