Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB60R280C6ATMA1

IPB60R280C6ATMA1

IPB60R280C6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK

IPB60R280C6ATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPB60R280C6ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $1.29945 -
2,000 $1.20983 -
5,000 $1.16502 -
49 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 13.8A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 430µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 43 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 950 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 104W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STL57N65M5
STL57N65M5
$0 $/кусок
IPI90R1K2C3XKSA2
SI2306BDS-T1-GE3
SI2306BDS-T1-GE3
$0 $/кусок
PMCM4401UNEZ
PMCM4401UNEZ
$0 $/кусок
SIHP125N60EF-GE3
SIHP125N60EF-GE3
$0 $/кусок
PSMN7R6-60BS,118
PSMN7R6-60BS,118
$0 $/кусок
XP263N1001TR-G
HAF2012-92L
SQ3469EV-T1_GE3
SQ3469EV-T1_GE3
$0 $/кусок
SIDR638DP-T1-RE3
SIDR638DP-T1-RE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.