Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

IPB80N04S3H4ATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPB80N04S3H4ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.56000 $0.56
500 $0.5544 $277.2
1000 $0.5488 $548.8
1500 $0.5432 $814.8
2000 $0.5376 $1075.2
2500 $0.532 $1330
13200 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 40 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 80A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 65µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 60 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3900 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 115W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3-2
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

BSC026N08NS5ATMA1
FDP12N50
FDP12N50
$0 $/кусок
SIHG47N60AE-GE3
SIHG47N60AE-GE3
$0 $/кусок
NP82N04MUG-S18-AY
SQJ423EP-T1_BE3
SQJ423EP-T1_BE3
$0 $/кусок
FDPF10N60NZ
FDPF10N60NZ
$0 $/кусок
RQ5E025ATTCL
RQ5E025ATTCL
$0 $/кусок
RM3416
RM3416
$0 $/кусок
APT84M50B2
APT84M50B2
$0 $/кусок
IRL630SPBF
IRL630SPBF
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.