Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

IPD068N10N3GATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPD068N10N3GATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $1.08628 -
5,000 $1.04605 -
2206 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 90A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 6.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 90µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 68 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 4910 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IRF7606TRPBF
IRF7606TRPBF
$0 $/кусок
FQPF10N60C
FQPF10N60C
$0 $/кусок
SI7431DP-T1-GE3
SI7431DP-T1-GE3
$0 $/кусок
PJD45N06A-AU_L2_000A1
NDT01N60T1G
NDT01N60T1G
$0 $/кусок
TK7A45DA(STA4,Q,M)
SI1032R-T1-GE3
SI1032R-T1-GE3
$0 $/кусок
SIR182DP-T1-RE3
SIR182DP-T1-RE3
$0 $/кусок
RJK0651DPB-00#J5
NVTYS010N04CTWG
NVTYS010N04CTWG
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.