Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

IPD135N08N3GATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPD135N08N3GATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.44275 -
5,000 $0.42061 -
12,500 $0.40480 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 80 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 45A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 13.5mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 33µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 25 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1730 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 79W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RQ6E035SPTR
RQ6E035SPTR
$0 $/кусок
IXTX90N25L2
IXTX90N25L2
$0 $/кусок
APT41M80L
APT41M80L
$0 $/кусок
SIRA24DP-T1-GE3
SIRA24DP-T1-GE3
$0 $/кусок
RM8A5P60S8
RM8A5P60S8
$0 $/кусок
FDD6690S
FDD6690S
$0 $/кусок
SISS27DN-T1-GE3
SISS27DN-T1-GE3
$0 $/кусок
IXTH48P20P
IXTH48P20P
$0 $/кусок
PJC7403_R1_00001
AOI4286

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.