Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

IPD30N06S215ATMA2 Техническая спецификация

compliant

IPD30N06S215ATMA2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.52021 -
5,000 $0.49420 -
12,500 $0.47562 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 55 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 30A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 14.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 80µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 110 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1485 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 136W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3-11
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPZ65R045C7XKSA1
NDD02N60ZT4G
NDD02N60ZT4G
$0 $/кусок
AO4292E
STB18N65M5
STB18N65M5
$0 $/кусок
SIR164DP-T1-RE3
SIR164DP-T1-RE3
$0 $/кусок
IXFN36N100
IXFN36N100
$0 $/кусок
IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2
$0 $/кусок
SIHB24N65E-GE3
SIHB24N65E-GE3
$0 $/кусок
RRH140P03GZETB
RRH140P03GZETB
$0 $/кусок
2SK3019TL
2SK3019TL
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.