Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

IPD80R2K8CEATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPD80R2K8CEATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.47160 -
5,000 $0.45061 -
12,500 $0.43562 -
25,000 $0.43343 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 800 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 1.9A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.9V @ 120µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 12 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 290 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RM120N40T2
RM120N40T2
$0 $/кусок
IRF2805PBF
IRF2805PBF
$0 $/кусок
AUIRFSL6535
AUIRFSL6535
$0 $/кусок
IPP80N04S2L03AKSA1
SQJ422EP-T1_BE3
SQJ422EP-T1_BE3
$0 $/кусок
SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF
$0 $/кусок
TSM280NB06LCR RLG
IPW60R190P6FKSA1
DKI04103
DKI04103
$0 $/кусок
SIHG24N65E-E3
SIHG24N65E-E3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.