Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

IPD80R3K3P7ATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

IPD80R3K3P7ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.36360 -
5,000 $0.34120 -
12,500 $0.32999 -
25,000 $0.32388 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 800 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 1.9A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 30µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 5.8 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 120 pF @ 500 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 18W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STP6N90K5
STP6N90K5
$0 $/кусок
IPC70N04S5L4R2ATMA1
TPIC5223LD
TPIC5223LD
$0 $/кусок
SIL08N03-TP
SIL08N03-TP
$0 $/кусок
NTLJS3D0N02P8ZTAG
NTLJS3D0N02P8ZTAG
$0 $/кусок
DN3535N8-G
DN3535N8-G
$0 $/кусок
FDB6030L
FDB6030L
$0 $/кусок
BSZ040N06LS5ATMA1
FDC638P
FDC638P
$0 $/кусок
IPU06N03LZG
IPU06N03LZG
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.