Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SPB11N60C3ATMA1

SPB11N60C3ATMA1

SPB11N60C3ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3

SPB11N60C3ATMA1 Техническая спецификация

несоответствующий

SPB11N60C3ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $1.74482 -
2,000 $1.65758 -
5,000 $1.59526 -
29 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Not For New Designs
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 11A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.9V @ 500µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 60 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1200 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3-2
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTD3055L104T4G
NTD3055L104T4G
$0 $/кусок
CSD25213W10
CSD25213W10
$0 $/кусок
RQ3E070BNTB
RQ3E070BNTB
$0 $/кусок
SI2347DS-T1-GE3
SI2347DS-T1-GE3
$0 $/кусок
3LP03M-TL-E
3LP03M-TL-E
$0 $/кусок
IXFT60N65X2HV
IXFT60N65X2HV
$0 $/кусок
SI7174DP-T1-GE3
SI7174DP-T1-GE3
$0 $/кусок
IRFW540ATM
IRFW540ATM
$0 $/кусок
TK11A65W,S5X
HUF75329P3
HUF75329P3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.