Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD

IXFH18N100Q3 Техническая спецификация

compliant

IXFH18N100Q3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
30 $11.98800 $359.64
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 1000 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 18A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 660mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 6.5V @ 4mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 90 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 4890 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 830W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-247AD (IXFH)
упаковка / кейс TO-247-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PJD9P06A-AU_L2_000A1
FDPF7N50
FDPF7N50
$0 $/кусок
FDB7030BL
FDB7030BL
$0 $/кусок
STB45N40DM2AG
STB45N40DM2AG
$0 $/кусок
FDP075N15A-F102
FDP075N15A-F102
$0 $/кусок
SI1031R-T1-GE3
SI1031R-T1-GE3
$0 $/кусок
BUK7507-30B,127
BUK7507-30B,127
$0 $/кусок
SPB03N60C3ATMA1
DMN30H4D0LFDE-13
SIR184DP-T1-RE3
SIR184DP-T1-RE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.