Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

IXFN120N65X2 Техническая спецификация

compliant

IXFN120N65X2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $27.96000 $27.96
10 $25.86300 $258.63
100 $22.08840 $2208.84
500 $19.57200 $9786
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 108A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 24mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 5.5V @ 8mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 225 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 15500 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 890W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Chassis Mount
пакет устройства поставщика SOT-227B
упаковка / кейс SOT-227-4, miniBLOC
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SQJ415EP-T1_BE3
SQJ415EP-T1_BE3
$0 $/кусок
SI2309CDS-T1-BE3
SI2309CDS-T1-BE3
$0 $/кусок
DMN53D0U-13
DMN53D0U-13
$0 $/кусок
HUF76423P3
HUF76423P3
$0 $/кусок
G75P04K
G75P04K
$0 $/кусок
SQD50N04-4M5L_GE3
SQD50N04-4M5L_GE3
$0 $/кусок
SQJA80EP-T1_GE3
SQJA80EP-T1_GE3
$0 $/кусок
NTD50N03RG
NTD50N03RG
$0 $/кусок
DMP1022UFDF-7
DMP1022UFDF-7
$0 $/кусок
IRF1407STRLPBF

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.