Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IXTA80N10T

IXTA80N10T

IXTA80N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 80A TO263

IXTA80N10T Техническая спецификация

несоответствующий

IXTA80N10T Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $2.88000 $2.88
50 $2.32500 $116.25
100 $2.09250 $209.25
500 $1.62750 $813.75
1,000 $1.34850 -
2,500 $1.30200 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 80A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 14mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 5V @ 100µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 60 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3040 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 230W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-263AA
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STB20NM60T4
STB20NM60T4
$0 $/кусок
PSMN0R9-30YLDX
PSMN0R9-30YLDX
$0 $/кусок
TP0606N3-G
TP0606N3-G
$0 $/кусок
R6520KNZ4C13
R6520KNZ4C13
$0 $/кусок
PJS6461-AU_S1_000A1
SI7478DP-T1-E3
SI7478DP-T1-E3
$0 $/кусок
RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/кусок
UF3C065030B3
UF3C065030B3
$0 $/кусок
IPP80N06S2LH5AKSA2
BUK9Y3R0-40E,115
BUK9Y3R0-40E,115
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.