Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| особенность fet | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 113A (Tc) |
| rds на (макс) @ id, vgs | 25mOhm @ 80A, 20V |
| vgs(th) (макс) @ id | 2.2V @ 4mA (Typ) |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 197nC @ 20V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 3800pF @ 1000V |
| мощность - макс. | 500W |
| рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления | Chassis Mount |
| упаковка / кейс | SP3 |
| пакет устройства поставщика | SP3 |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.