Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | N-Channel |
| технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 21A (Tc) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 20V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 225mOhm @ 8A, 20V |
| vgs(th) (макс) @ id | 3.26V @ 500µA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 34 nC @ 20 V |
| вгс (макс) | +23V, -10V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 510 pF @ 1000 V |
| особенность fet | - |
| рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) |
| рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления | - |
| пакет устройства поставщика | - |
| упаковка / кейс | - |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.