Welcome to ichome.com!
Имя | Ценить |
---|---|
статус продукта | Active |
тип fet | N-Channel |
технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Напряжение сток-исток (vdss) | 1200 V |
ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 55A (Tc) |
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 20V |
rds на (макс) @ id, vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (макс) @ id | 2.7V @ 1mA |
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 137 nC @ 20 V |
вгс (макс) | +25V, -10V |
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 1990 pF @ 1000 V |
особенность fet | - |
рассеиваемая мощность (макс.) | 245W (Tc) |
рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления | Chassis Mount |
пакет устройства поставщика | SOT-227 (ISOTOP®) |
упаковка / кейс | SOT-227-4, miniBLOC |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.