Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | N-Channel |
| технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 79A |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 20V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| vgs(th) (макс) @ id | 2.8V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 232 nC @ 20 V |
| вгс (макс) | +25V, -10V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 3020 pF @ 1000 V |
| особенность fet | - |
| рассеиваемая мощность (макс.) | 310W |
| рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления | Chassis Mount |
| пакет устройства поставщика | - |
| упаковка / кейс | Module |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.