Welcome to ichome.com!

logo
Дом

2N7002NXAKR

2N7002NXAKR

2N7002NXAKR

Nexperia USA Inc.

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

2N7002NXAKR Техническая спецификация

compliant

2N7002NXAKR Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.21000 $0.21
500 $0.2079 $103.95
1000 $0.2058 $205.8
1500 $0.2037 $305.55
2000 $0.2016 $403.2
2500 $0.1995 $498.75
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 190mA (Ta), 300mA (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 0.43 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 20 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-236AB
упаковка / кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

APT60M60JLL
APT60M60JLL
$0 $/кусок
BSC160N15NS5ATMA1
SI4116DY-T1-E3
SI4116DY-T1-E3
$0 $/кусок
DMN67D8LW-13
DMN67D8LW-13
$0 $/кусок
SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3
$0 $/кусок
DMT3006LDK-7
DMT3006LDK-7
$0 $/кусок
R6030JNZ4C13
R6030JNZ4C13
$0 $/кусок
CSD25304W1015
CSD25304W1015
$0 $/кусок
IXTP230N04T4
IXTP230N04T4
$0 $/кусок
IRFB4310PBF
IRFB4310PBF
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.