Welcome to ichome.com!
Имя | Ценить |
---|---|
статус продукта | Active |
тип fet | N-Channel |
технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Напряжение сток-исток (vdss) | 750 V |
ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 140A (Tc) |
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 15V, 18V |
rds на (макс) @ id, vgs | 18mOhm @ 66A, 18V |
vgs(th) (макс) @ id | 4.3V @ 22mA |
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 262 nC @ 18 V |
вгс (макс) | +22V, -8V |
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 5010 pF @ 375 V |
особенность fet | - |
рассеиваемая мощность (макс.) | 500W (Tc) |
рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления | Through Hole |
пакет устройства поставщика | TO-247-4L |
упаковка / кейс | TO-247-4 |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.