Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RM12N650TI

RM12N650TI

RM12N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220F

RM12N650TI Техническая спецификация

несоответствующий

RM12N650TI Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 11.5A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs -
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 870 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 32.6W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220F
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STF7N105K5
STF7N105K5
$0 $/кусок
MSC080SMA120B
MSC080SMA120B
$0 $/кусок
STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-1
$0 $/кусок
BSC040N10NS5ATMA1
NVF6P02T3G
NVF6P02T3G
$0 $/кусок
SIHB23N60E-GE3
SIHB23N60E-GE3
$0 $/кусок
SI4408DY-T1-E3
SI4408DY-T1-E3
$0 $/кусок
DMP3068L-7
DMP3068L-7
$0 $/кусок
SI2343CDS-T1-BE3
SI2343CDS-T1-BE3
$0 $/кусок
TN0604N3-G-P005

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.