Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RM4N650T2

RM4N650T2

RM4N650T2

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3

RM4N650T2 Техническая спецификация

compliant

RM4N650T2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 4A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs -
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 280 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 46W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220-3
упаковка / кейс TO-220-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMP4025LSSQ-13
DMP4025LSSQ-13
$0 $/кусок
STP20N90K5
STP20N90K5
$0 $/кусок
BTS130-E3045A
BTS130-E3045A
$0 $/кусок
FCPF190N60-F154
FCPF190N60-F154
$0 $/кусок
APT13F120S
APT13F120S
$0 $/кусок
ISL9N312AD3ST
BUK9Y38-100E,115
BUK9Y38-100E,115
$0 $/кусок
RQ1A070APTR
RQ1A070APTR
$0 $/кусок
SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3
$0 $/кусок
SI7322DN-T1-GE3
SI7322DN-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.