Welcome to ichome.com!

logo
Дом

HIP6603BECBZ-T

HIP6603BECBZ-T

HIP6603BECBZ-T

Renesas Electronics America Inc

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

HIP6603BECBZ-T Техническая спецификация

compliant

HIP6603BECBZ-T Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Obsolete
управляемая конфигурация Half-Bridge
тип канала Synchronous
количество водителей 2
тип ворот N-Channel MOSFET
напряжение - питание 10.8V ~ 13.2V
логическое напряжение - vil, vih -
ток - пиковый выход (источник, приемник) -
тип ввода Non-Inverting
напряжение на высокой стороне - макс. (бутстреп) 15 V
время нарастания/спада (типичное) 20ns, 20ns
рабочая температура 0°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
упаковка / кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
пакет устройства поставщика 8-SOIC-EP
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IR2233J
IR2233J
$0 $/кусок
L9380-TR
L9380-TR
$0 $/кусок
ISL6613BCB-T
ISL6612EIBZ
IRS21953STRPBF
98-0119PBF
98-0119PBF
$0 $/кусок
MAX15018AASA+T
STSR3CD-TR
STSR3CD-TR
$0 $/кусок
ISL6610CBZ-INT
ISL6610CBZ-INT
$0 $/кусок
1EDN8511BXTSA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.