Welcome to ichome.com!

logo
Дом

NP82N055NUG-S18-AY

NP82N055NUG-S18-AY

NP82N055NUG-S18-AY

Renesas Electronics America Inc

MOSFET N-CH 55V 82A TO262

NP82N055NUG-S18-AY Техническая спецификация

compliant

NP82N055NUG-S18-AY Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.98000 $1.98
500 $1.9602 $980.1
1000 $1.9404 $1940.4
1500 $1.9206 $2880.9
2000 $1.9008 $3801.6
2500 $1.881 $4702.5
350 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 55 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 82A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) -
rds на (макс) @ id, vgs 6mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 160 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 9600 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta), 143W (Tc)
рабочая температура 175°C
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-262
упаковка / кейс TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMP6110SVTQ-13
DMP6110SVTQ-13
$0 $/кусок
IPB140N08S404ATMA1
TK4A50D(STA4,Q,M)
AON6260
SIHF12N60E-GE3
SIHF12N60E-GE3
$0 $/кусок
IXFT150N17T2
IXFT150N17T2
$0 $/кусок
SIRA54DP-T1-GE3
SIRA54DP-T1-GE3
$0 $/кусок
SQJA04EP-T1_BE3
SQJA04EP-T1_BE3
$0 $/кусок
IPI45N06S409AKSA1
IXFK24N100Q3
IXFK24N100Q3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.