Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RJK60S4DPP-E0#T2

RJK60S4DPP-E0#T2

RJK60S4DPP-E0#T2

Renesas Electronics America Inc

MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP

RJK60S4DPP-E0#T2 Техническая спецификация

несоответствующий

RJK60S4DPP-E0#T2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $4.26000 $4.26
500 $4.2174 $2108.7
1000 $4.1748 $4174.8
1500 $4.1322 $6198.3
2000 $4.0896 $8179.2
2500 $4.047 $10117.5
114548 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 16A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) -
rds на (макс) @ id, vgs 290mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id -
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 18 nC @ 10 V
вгс (макс) -
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 988 pF @ 25 V
особенность fet Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.) 29.9W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220FP
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

AO3422
SISS67DN-T1-GE3
SISS67DN-T1-GE3
$0 $/кусок
STB28N60M2
STB28N60M2
$0 $/кусок
SIHB12N50E-GE3
SIHB12N50E-GE3
$0 $/кусок
BSB165N15NZ3GXUMA1
2SK3367-AZ
SI7850DP-T1-GE3
SI7850DP-T1-GE3
$0 $/кусок
IPB60R280P6ATMA1
NXV65UPR
NXV65UPR
$0 $/кусок
FQB8N60CTM
FQB8N60CTM
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.