Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | N-Channel |
| технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 300A (Tc) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | - |
| rds на (макс) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (макс) @ id | 5.6V @ 80mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | - |
| вгс (макс) | +22V, -4V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 15000 pF @ 10 V |
| особенность fet | - |
| рассеиваемая мощность (макс.) | 1360W (Tc) |
| рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления | Chassis Mount |
| пакет устройства поставщика | Module |
| упаковка / кейс | Module |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.