Welcome to ichome.com!

logo
Дом

R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13

Rohm Semiconductor

650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER

R6535ENZ4C13 Техническая спецификация

compliant

R6535ENZ4C13 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $7.86000 $7.86
500 $7.7814 $3890.7
1000 $7.7028 $7702.8
1500 $7.6242 $11436.3
2000 $7.5456 $15091.2
2500 $7.467 $18667.5
571 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 35A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 115mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 1.21mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 110 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2600 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 379W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-247G
упаковка / кейс TO-247-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1
$0 $/кусок
AO3419
IXTH8P50
IXTH8P50
$0 $/кусок
APT8020LLLG
APT8020LLLG
$0 $/кусок
PJQ2409_R1_00001
BUK661R6-30C,118
BUK661R6-30C,118
$0 $/кусок
SVD5867NLT4G
SVD5867NLT4G
$0 $/кусок
3LN01M-TL-E
3LN01M-TL-E
$0 $/кусок
STB28N65M2
STB28N65M2
$0 $/кусок
IXTA56N15T
IXTA56N15T
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.