Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

RQ3E130BNTB Техническая спецификация

несоответствующий

RQ3E130BNTB Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.14685 -
6,000 $0.13795 -
15,000 $0.12905 -
30,000 $0.12460 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 13A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 36 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1900 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-HSMT (3.2x3)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI2367DS-T1-GE3
SI2367DS-T1-GE3
$0 $/кусок
SIHK055N60EF-T1GE3
SIHK055N60EF-T1GE3
$0 $/кусок
NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/кусок
FQP7P20
FQP7P20
$0 $/кусок
BSC119N03MSCG
BSC119N03MSCG
$0 $/кусок
CSD17581Q5A
CSD17581Q5A
$0 $/кусок
RW1A030APT2CR
RW1A030APT2CR
$0 $/кусок
SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3
$0 $/кусок
IPD80R600P7ATMA1
STF23NM50N
STF23NM50N
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.