Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RQ3E160ADTB1

RQ3E160ADTB1

RQ3E160ADTB1

Rohm Semiconductor

NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET

RQ3E160ADTB1 Техническая спецификация

compliant

RQ3E160ADTB1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.66000 $1.66
500 $1.6434 $821.7
1000 $1.6268 $1626.8
1500 $1.6102 $2415.3
2000 $1.5936 $3187.2
2500 $1.577 $3942.5
6000 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 16A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 51 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2550 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-HSMT (3.2x3)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

2SJ356(0)-T1-AZ
STTFS010N10MCL
STTFS010N10MCL
$0 $/кусок
SQM200N04-1M7L_GE3
SQM200N04-1M7L_GE3
$0 $/кусок
RQ7G080BGTCR
RQ7G080BGTCR
$0 $/кусок
IPB042N10NF2SATMA1
DMN1017UCP3-7
DMN1017UCP3-7
$0 $/кусок
DMT6010LPS-13
DMT6010LPS-13
$0 $/кусок
SISS32LDN-T1-GE3
SISS32LDN-T1-GE3
$0 $/кусок
IXTP48N20TM
IXTP48N20TM
$0 $/кусок
IPZ65R095C7
IPZ65R095C7
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.