Welcome to ichome.com!

logo
Дом

STB35N65DM2

STB35N65DM2

STB35N65DM2

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK

STB35N65DM2 Техническая спецификация

compliant

STB35N65DM2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $3.66760 -
2,000 $3.50436 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 28A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 54 nC @ 10 V
вгс (макс) ±25V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2400 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 210W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика D²PAK
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RQ5A025ZPTL
RQ5A025ZPTL
$0 $/кусок
IPP50R380CEXKSA1
IPD50P04P413ATMA1
SPD06N80C3ATMA1
IXTP3N120
IXTP3N120
$0 $/кусок
STD30NF06LT4
STD30NF06LT4
$0 $/кусок
IRFZ44ESTRRPBF
TQM070NB04CR RLG
IPLK80R1K2P7ATMA1
FQP5N80
FQP5N80
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.