Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TSM130NB06LCR RLG

TSM130NB06LCR RLG

TSM130NB06LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN

TSM130NB06LCR RLG Техническая спецификация

compliant

TSM130NB06LCR RLG Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.34930 -
5,000 $0.33726 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 10A (Ta), 51A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 37 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2175 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 83W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-PDFN (5x6)
упаковка / кейс 8-PowerTDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI8499DB-T2-E1
SI8499DB-T2-E1
$0 $/кусок
SI7139DP-T1-GE3
SI7139DP-T1-GE3
$0 $/кусок
PMPB55ENEAX
PMPB55ENEAX
$0 $/кусок
DMT6017LSS-13
DMT6017LSS-13
$0 $/кусок
IRLZ24LPBF
IRLZ24LPBF
$0 $/кусок
SI2305B-TP
SI2305B-TP
$0 $/кусок
SI2304BDS-T1-E3
SI2304BDS-T1-E3
$0 $/кусок
IPB65R190C6ATMA1
BSN20BKR
BSN20BKR
$0 $/кусок
SIRA16DP-T1-GE3
SIRA16DP-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.